白光干涉儀S neox的微電子領域應用

產(chǎn)品簡介

白光干涉儀S neox的微電子領域應用:Sensofar S neox為微電子制造提供非接觸式3D計量，應用于晶圓平整度、TSV通孔、封裝凸點及MEMS器件的高精度快速測量，助力工藝控制與良率提升。

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更新時間：2025-11-14

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白光干涉儀S neox的微電子領域應用

微電子技術持續(xù)向著更小的線寬、更復雜的三維集成結構發(fā)展，對制造過程中的計量檢測提出了持續(xù)的要求。無論是前道工藝的晶圓監(jiān)測，還是后道的封裝測試，都需要非接觸、高精度、高效率的測量手段。Sensofar S neox 3D光學輪廓儀結合了白光干涉和共聚焦等技術，在微電子領域的一些環(huán)節(jié)中可作為測量方案的一種選擇。

在晶圓制造中，化學機械拋光后晶圓的全局平整度和納米尺度的表面粗糙度是需要監(jiān)控的參數(shù)。S neox的白光干涉模式適合測量晶圓的納米級粗糙度，而其大面積自動拼接功能可以評估晶圓的翹曲（Warp）和彎曲（Bow）等整體形貌參數(shù)。

對于三維集成電路中關鍵的硅通孔技術，通孔的深度、直徑、側壁形貌是工藝控制的重點。S neox可以通過高倍物鏡對通孔結構進行三維形貌測量。雖然光學方法在測量高深寬比通孔的底部時會面臨挑戰(zhàn)，但其對于通孔開口形貌、附近區(qū)域形變以及較淺通孔的測量仍能提供有用信息。共聚焦模式對側壁粗糙度的評估也有一定幫助。

在優(yōu)良封裝領域，凸點的高度、共面性、焊盤的平整度直接影響鍵合的質(zhì)量和可靠性。S neox可以快速掃描整個芯片或基板上的凸點陣列，一次性獲取所有凸點的三維高度和位置信息，自動計算高度分布、共面性參數(shù)，效率高于單點探測。

對于MEMS器件，需要精確測量可動結構的靜態(tài)形貌，如懸臂梁的厚度、微鏡面的平整度等。S neox的白光干涉模式能提供納米級的分辨率。通過測量施加驅(qū)動電壓前后結構的高度變化，可以間接分析其運動特性。

此外，在失效分析中，S neox可以用于觀察和測量電路表面的缺陷，如劃痕、殘留物、腐蝕坑等，并提供三維尺寸信息。

需要注意的是，隨著特征尺寸的不斷縮小，光學衍射極限可能成為限制。此時，需要根據(jù)具體的結構尺寸和測量目標來評估S neox的適用性。但對于許多微米級及以上尺度的結構，以及納米級的表面粗糙度和臺階高度測量，Sensofar S neox能夠提供一種有價值的非接觸、快速的三維計量手段，輔助工藝開發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量控制。