澤攸ZEM20Ultro臺式場發(fā)射掃描電子顯微鏡是專為科研與工業(yè)場景設計的緊湊型高分辨率成像設備，其核心參數覆蓋廣泛的應用需求。設備采用冷場發(fā)射電子槍，曲率半徑小于10nm的鎢單晶針尖可穩(wěn)定發(fā)射高亮度電子束，使用壽命超2000小時。加速電壓范圍3kV-20kV連續(xù)可調，1kV步進，在30kV時分辨率達1.5nm，1kV時為10nm，可清晰捕捉納米級微觀結構。放大倍數范圍200-360,000倍，適配從宏觀全貌到納米細節(jié)的觀測需求。

樣品臺采用五軸全自動設計，X/Y/Z三軸行程分別達90mm/50mm/32mm，旋轉角度360°，傾斜范圍-10°-90°，移動精度1μm。配合光學CCD導航與艙內攝像頭，可實現快速精準定位。真空系統(tǒng)支持高真空（≤1×10??Pa）與低真空（1-100Pa）雙模式，高真空模式抽真空時間小于30秒，低真空模式可無需鍍膜直接觀測非導電樣品，避免傳統(tǒng)設備因鍍膜掩蓋缺陷的問題。

澤攸ZEM20Ultro臺式場發(fā)射掃描電子顯微鏡憑借高分辨率成像能力與靈活樣品適配性，成為納米材料研發(fā)領域的核心工具。設備采用冷場發(fā)射電子槍，30kV加速電壓下分辨率達1.5nm，1kV下為10nm，可清晰捕捉金納米顆粒（粒徑5-50nm）、碳納米管（管徑2-10nm）等樣品的微觀形貌。其五軸全自動樣品臺支持X/Y/Z三軸電動移動，行程50mm×50mm×20mm，移動精度1μm，適配塊狀、粉末、薄膜等多種形態(tài)樣品。低真空模式（1Pa-100Pa）無需鍍膜即可直接觀測非導電樣品，避免傳統(tǒng)設備因鍍膜掩蓋缺陷的問題。設備尺寸850mm×650mm×1000mm，重量約120kg，適配普通實驗臺，無需特殊防震裝置，降低實驗室空間與成本門檻。