產(chǎn)品概況與核心參數(shù)

澤攸ZEM20Ultro臺式場發(fā)射掃描電子顯微鏡是專為科研與工業(yè)場景設計的緊湊型高分辨率成像設備，其核心參數(shù)覆蓋廣泛的應用需求。設備采用冷場發(fā)射電子槍，曲率半徑小于10nm的鎢單晶針尖可穩(wěn)定發(fā)射高亮度電子束，使用壽命超2000小時。加速電壓范圍3kV-20kV連續(xù)可調(diào)，1kV步進，在30kV時分辨率達1.5nm，1kV時為10nm，可清晰捕捉納米級微觀結(jié)構(gòu)。放大倍數(shù)范圍200-360,000倍，適配從宏觀全貌到納米細節(jié)的觀測需求。

樣品臺采用五軸全自動設計，X/Y/Z三軸行程分別達90mm/50mm/32mm，旋轉(zhuǎn)角度360°，傾斜范圍-10°-90°，移動精度1μm。配合光學CCD導航與艙內(nèi)攝像頭，可實現(xiàn)快速精準定位。真空系統(tǒng)支持高真空（≤1×10??Pa）與低真空（1-100Pa）雙模式，高真空模式抽真空時間小于30秒，低真空模式可無需鍍膜直接觀測非導電樣品，避免傳統(tǒng)設備因鍍膜掩蓋缺陷的問題。

結(jié)構(gòu)設計與用材工藝

設備主機尺寸650mm×370mm×642mm，機械泵尺寸454mm×165mm×252mm，重量約120kg，適配普通實驗臺或產(chǎn)線旁空間。機身外殼采用冷軋鋼板與ABS工程塑料拼接，冷軋鋼板經(jīng)靜電噴塑處理，具備抗腐蝕與抗刮擦性能；ABS塑料部件經(jīng)防靜電處理，避免納米粉末樣品靜電吸附。樣品室采用不銹鋼材質(zhì)，內(nèi)壁電解拋光至表面粗糙度Ra≤0.2μm，減少電子散射干擾。

核心光學部件采用多層膜電磁透鏡，透鏡材質(zhì)為高純度軟磁合金，經(jīng)精密退火處理降低磁場干擾。探測器系統(tǒng)集成二次電子探測器、四分割背散射電子探測器及可選配的能譜儀（EDS），支持SE+BSE模式同步采集與任意疊加。操作界面配備15.6英寸高清觸控屏，支持多點觸控與手勢操作，側(cè)面預留USB3.0、HDMI接口，數(shù)據(jù)導出靈活便捷。

性能表現(xiàn)與行業(yè)應用

在納米材料研發(fā)領域，ZEM20Ultro可觀測金屬/半導體納米顆粒的形貌、粒徑分布與團聚狀態(tài)，分析納米線、納米管的直徑均勻性、長度與表面缺陷。例如研究金納米顆粒催化性能時，可通過高分辨率成像觀察顆粒的粒徑分布（精度±1nm），分析粒徑與催化活性的關(guān)聯(lián)。在半導體行業(yè)，可檢測芯片納米級結(jié)構(gòu)缺陷、焊球氧化狀態(tài)及涂層均勻性。

生物醫(yī)學領域，低真空模式可觀測細胞超微結(jié)構(gòu)、病毒顆粒及組織工程支架孔隙形態(tài)，無需脫水處理保持樣品原始狀態(tài)。地質(zhì)學與能源領域，背散射電子成像模式可分析礦物組分分布、電極材料孔隙結(jié)構(gòu)及催化劑顆粒分布。設備兼容澤攸科技原位功能樣品臺（如拉伸臺、加熱臺、TEC冷臺），支持動態(tài)過程記錄，如材料高溫氧化過程實時成像。

操作流程與維護保養(yǎng)

操作流程涵蓋樣品準備、裝載、成像參數(shù)設置、數(shù)據(jù)記錄與設備關(guān)閉。導電樣品可直接觀測，非導電樣品需噴金或噴碳處理。裝載時關(guān)閉電子束與高壓，通過軟件控制釋放真空，放入樣品托后啟動抽真空程序。成像參數(shù)包括加速電壓、束流、聚焦與像散調(diào)節(jié)，軟件自動優(yōu)化參數(shù)。日常維護包括每2000小時或每年更換機械泵油，每月清潔真空腔內(nèi)壁，每半年檢查密封件。探測器需避免碰撞柵網(wǎng)，每月用壓縮空氣吹掃表面。

設備支持分辨率校準與故障診斷，軟件提供運行狀態(tài)監(jiān)控，廠商提供年度上門維護服務。電子束穩(wěn)定性≤0.5%/h，保障長時間觀測數(shù)據(jù)一致性。用戶培訓涵蓋設備操作、樣品制備、數(shù)據(jù)解析等模塊，確保非專業(yè)人員30分鐘內(nèi)掌握基本操作。